-
南宫NG·28(中国区)-印度计划2025年8月至9月发布首款国产半导体芯片,六家工厂建设中
7月19日,印度电子及信息技能部长阿什维尼·维什瑙(Ashwini Vaishnaw)公布,印度正竭尽全力成为全世界半导体行业的主要介入者。他吐露,印度当局已经核准设置装备摆设六家半导体
2025-12-14查看详情 -
南宫NG·28(中国区)-日本芯片制造商Rapidus宣布启动2nm试产
据媒体报导,7月18日,日本芯片制造商Rapidus公布正式启动2nm晶圆的测试出产事情,并估计在2027年实现正式量产。于Rapidus位在日本的IIM - 1厂区,已经经着手开展采用2nm全环抱栅
2025-12-14查看详情 -
南宫NG·28(中国区)-中科半导体发布氮化镓机器人智能快充芯片
7月21日,中科半导体发布氮化镓(GaN)ASIC智能快充芯片(包括:CT-360二、CT1020、CT1007与CT-1901)四个型号,经由过程“氮化镓ASIC芯片+GaN功率管&rd
2025-12-13查看详情 -
南宫NG·28(中国区)-三星DRAM良率突破50%,下半年将量产HBM4
2025年7月18日,韩国媒体报道,三星电子于10奈米级第六代(1c)DRAM制程方面取患了庞大进展,良率已经冲破50%。这一冲破标记着三星于高效能影象体市场的竞争力有望晋升,并规划于下半年最先量产第
2025-12-13查看详情 -
南宫NG·28(中国区)-总投资45亿!芯业时代8英寸晶圆项目拟9月试生产
据“陕西新闻联播”报导,陕西电子芯业时代8英寸高机能特点工艺半导体集成电路出产线项目今朝已经进入冲刺通线的要害节点,规划9月份最先试出产。该项目建成后将弥补陕西8英寸芯片制造范
2025-12-13查看详情
















